目的： 觀(guān)察局部腦缺血再灌注損傷對小鼠 ＴＭＥＭ１６６ 基因和神經(jīng)細胞自噬的影響。

　　方法：Ｃ５７ ／ ＢＬ６Ｊ 小鼠 ５０ 只，線(xiàn)栓法制作大腦中動(dòng)脈栓塞 局部腦缺血模型，隨機分為再灌注 ６，１２，２４，４８ ｈ 組。  通過(guò)免疫組化染色觀(guān)察缺血側大腦皮層及基底核 ＴＭＥＭ１６６、ＬＣ３?ＩＩ 的陽(yáng)性細胞數量變化，Ｗｅｓｔｅｒｎ ｂｌｏｔ 檢測不同再灌注時(shí)間 ＴＭＥＭ１６６、ＬＣ３?ＩＩ 蛋白水平的表達。

　　結果：  缺血側 ＴＭＥＭ１６６ 隨再灌注時(shí)間延長(cháng)而增加，２４ ｈ 達到高峰；再灌注６ ｈ 后ＬＣ３?ＩＩ 表達出現，同樣隨再灌注時(shí)間而增加，２４ ｈ 達到高峰。  缺血側自噬細胞數量的變化趨勢與 ＴＭＥＭ１６６ 基本一致，對側大腦半球上述指標無(wú)明顯變化。

　　結論： 小鼠局部腦缺血再灌注損傷可以誘導 ＴＭＥＭ１６６ 的表達，通過(guò)激活 ＬＣ３?ＩＩ 引起神經(jīng)細胞自噬。